1.表面型半導(dǎo)體陶瓷電容器的等效電路
a為正常狀態(tài)下的等效電路，其中上、下兩個(gè)電容器代表上、下兩個(gè)介質(zhì)層的電容；兩個(gè)箭頭表示和N型半導(dǎo)瓷的接觸狀態(tài)；中間部分則表示半導(dǎo)體瓷中尚有一定的電阻。 b和c則分別表示兩邊或一邊介質(zhì)層被損壞后的不正常情況。介質(zhì)層被損壞的程度不同則二極管的正、反電阻也不同，因此它并不意味著是一個(gè)常規(guī)的二極管。
2.表面型半導(dǎo)體陶瓷芯片半導(dǎo)化機(jī)理
主晶相為鈣鈦礦結(jié)構(gòu)（BaTiO3)，在H2、N2氣氛下還原處理，其反應(yīng)過(guò)程如下： 2BaTiO3+ H2---- 2BaTiO2.5+H2O+Vo（氧缺位），Ti4+----Ti3+ + e(電子電荷）。由于缺位的出現(xiàn)，恰是一個(gè)2價(jià)正離子，氧缺位在整個(gè)瓷體中均勻分布。e為電子電荷，在未激發(fā)之前它是停留在氧缺位附近Ti3+上的介穩(wěn)電子，但受到電場(chǎng)激發(fā)之后將形成“自由”電子而參與導(dǎo)電。這時(shí)整個(gè)瓷片具有電子導(dǎo)電特性，屬于n型半導(dǎo)體。
3.半導(dǎo)體陶瓷電容在低電壓環(huán)境中出現(xiàn)燒熔失效問(wèn)題探討
①表面介質(zhì)層：半導(dǎo)體瓷介電容芯片起絕緣作用的介質(zhì)層很薄（約20微米），芯片生產(chǎn)、運(yùn)輸及后工序裝配過(guò)程中容易損壞介質(zhì)層，造成絕緣電阻降低。
②在低的直流電場(chǎng)長(zhǎng)時(shí)間作用下，半導(dǎo)層中氧缺位向負(fù)極板旁移動(dòng)積累大量正電荷，并將和負(fù)極板間形成較高的電場(chǎng)強(qiáng)度，而電子向正極移動(dòng)在正極累積大量負(fù)電荷，和正極形成較高的電場(chǎng)強(qiáng)度。當(dāng)電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到一定值時(shí)，它迫使介質(zhì)層會(huì)向極板發(fā)射電子，而構(gòu)成傳導(dǎo)電流。
如果介質(zhì)層絕緣電阻低，介質(zhì)層承受不了高的場(chǎng)強(qiáng)，電容性能進(jìn)一步劣化，絕緣更低直至短路，在這個(gè)過(guò)程中產(chǎn)生大量熱能而使產(chǎn)品本體出現(xiàn)燒熔的現(xiàn)象。
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